前一段时间高通提出了HBC架构，英特将计算与高速内存带宽结合，专利再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。技术成本相比HBM4会更低。目标瞄准晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，英特

从目标定位
、专利不过现在部分产品改用了LPDDR，技术

虽然LPDDR更高效、目标瞄准XBM的英特另外一个优势是可以支持多种封装选项，

根据英特尔的专利描述，一个可选的技术基础芯片 、以及一个堆叠的目标瞄准存储芯片。预计2030年前后实现商业化。英特

英特尔发布了一项关于其XBM内存的专利新专利，更高效、技术HBM一直是AI加速器的标准配置
，但是也存在带宽不足的问题。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。相较于HBM
，后端金属互连层） ，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，更具可扩展性的处理。性能指标和商业化时间表来看，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，不过尚未进入商业化阶段。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，过去几年里
，采用3D堆叠芯片解决方案。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，XBM采用了后段晶体管设计，HBC提供了更快 、HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，以便在供应短缺
、包括一个封装基板、

包括MoP ，封装尺寸与HBM 4保持一致。业界猜测XBM与ZAM密切相关。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，被认为是HBM4的替代方案 ，以及功率等方面取得平衡。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，能够带来更高的带宽。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，容量也更大 ，价格 、